2026.11.06
半導體材料

【景明化工|半導體先進封裝小學堂】

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【景明化工|半導體先進封裝小學堂】
無助焊劑甲酸回焊技術:銅柱凸塊(Cu Pillar Bump)製程中的關鍵化學應用

 

從銅柱凸塊、微凸塊到高密度異質整合,為什麼先進封裝開始採用甲酸(Formic Acid)進行無助焊劑回焊?

隨著 AI、高效能運算(HPC)、HBM 高頻寬記憶體與 2.5D/3D IC 封裝技術快速發展,半導體晶片之間的互連密度持續提高。

傳統錫球接合逐漸面臨細間距、尺寸控制與可靠性挑戰,而銅柱凸塊(Copper Pillar Bump)因具有良好的導電性、導熱性及幾何尺寸控制能力,成為先進封裝重要的互連結構。

然而,當凸塊間距縮小至數十微米甚至更小時,回焊過程中的金屬氧化、焊料潤濕不足與助焊劑殘留,都可能影響封裝良率與長期可靠性。無助焊劑甲酸回焊(Fluxless Formic Acid Reflow) 因此成為先進封裝領域的重要製程技術之一。

一、傳統助焊劑回焊的技術瓶頸

傳統銅柱凸塊回焊通常包含三個主要步驟:

① 助焊劑塗覆
Flux Coating
② 氮氣氣氛回焊
N₂ Reflow
③ 助焊劑清洗
Flux Cleaning

助焊劑中的有機酸可與金屬氧化物反應,促進焊料潤濕與熔融成型。但隨著銅柱間距縮小,清洗液不易充分進入凸塊間隙,殘留物可能導致:

■ 助焊劑殘留帶來的潛在失效風險
  • ✓離子污染與電化學遷移(Electrochemical Migration)
  • ✓金屬接點腐蝕(Corrosion)
  • ✓表面絕緣電阻降低
  • ✓焊點接合可靠性下降
  • ✓後續底部填膠(Underfill)製程受到影響

因此,如何在不使用傳統助焊劑的條件下去除金屬氧化層,成為重要的製程開發方向。

二、甲酸為什麼能去除金屬氧化層?

甲酸(Formic Acid,HCOOH)是一種具有還原能力的有機酸。
在適當的溫度與製程氣氛下,甲酸可與銅、錫等金屬表面的氧化物反應,促進氧化層去除。

■ 氧化物還原反應機制

以氧化銅為例,總反應可表示為:

CuO + HCOOH → Cu + CO₂ + H₂O

實際反應可能涉及金屬甲酸鹽中間體的形成與分解。以二價金屬氧化物 MeO 為簡化模型:

MeO + 2HCOOH → Me(HCOO)₂ + H₂O
Me(HCOO)₂ → Me + 2CO₂ + H₂

※ 其中 Me 代表適用於該反應路徑的金屬。不同金屬氧化物的反應途徑與分解溫度並不完全相同,因此實際製程須依金屬組成進行評估。

這些反應能夠協助去除焊料表面氧化層,使熔融焊料更容易潤濕金屬表面。

甲酸回焊的核心價值,不只是去除氧化物,更是改善焊料潤濕、凸塊成型與接合可靠性。

三、甲酸回焊製程的三個關鍵階段

典型甲酸回焊設備透過氮氣攜帶甲酸蒸氣進入加熱腔體,並搭配低氧控制與多溫區加熱系統。

■ 第一階段|預熱與氧化物去除

約 150~160°C 的溫度區間,可促進特定金屬氧化物與甲酸反應。此階段重點在於控制:

  • ✓甲酸蒸氣濃度
  • ✓腔體氧氣含量
  • ✓晶圓升溫速率
  • ✓金屬表面氧化層狀態
■ 第二階段|焊料熔融與回焊

溫度提高至焊料液相線以上,使焊料充分熔融、潤濕並形成預期的凸塊形貌。

例如 Sn-Ag 系統的回焊溫度通常設定於其液相線以上,但實際峰值溫度必須依合金成分與設備條件決定。溫度過低可能造成不完全回焊;溫度或持溫時間不當,則可能導致過度鋪展、形貌異常或介金屬化合物過度成長。

■ 第三階段|冷卻與凸塊成型

透過控制降溫速率,使焊料凝固並形成穩定的接合結構。冷卻速度不當可能造成熱應力集中,進而影響晶圓與凸塊的可靠性。

四、決定甲酸回焊品質的四項製程參數

① 氧氣濃度 (Oxygen Concentration)

回焊腔體必須維持低氧氣氛,避免焊料在升溫與回焊期間再次氧化。部分製程將氧氣體積分率控制在 5 × 10⁻⁵ 以下,約相當於 50 ppm。

② 甲酸濃度 (Formic Acid Concentration)

甲酸濃度必須足以促進表面氧化層去除。濃度過低可能造成還原不足影響潤濕;但過高亦須考量反應時間、排氣系統與設備材料相容性。

③ 溫度曲線 (Temperature Profile)

製程須精確控制升溫速率、峰值溫度、液相線以上時間及冷卻速率,避免不完全回焊與過度回焊導致結構缺陷。

④ 材料潔淨度 (Material Cleanliness)

甲酸原料中的金屬雜質、水分、陰離子與其他微量污染物,均應嚴格評估。穩定的化學材料品質是高密度封裝重現性的基石。

五、甲酸回焊對先進封裝的技術價值

■ 相較傳統助焊劑回焊的潛在優勢
  • ✓減少助焊劑殘留與離子污染
  • ✓改善焊料潤濕性及表面氧化問題
  • ✓降低細間距互連的清洗困難
  • ✓有助於改善凸塊高度與形貌一致性
  • ✓減少清洗設備與相關製程步驟
  • ✓降低因助焊劑殘留造成的可靠性風險
■ 適用與評估之製程領域
  • ✓Cu Pillar Bump 銅柱凸塊
  • ✓Micro-bump 微凸塊互連
  • ✓Flip Chip 倒裝晶片封裝
  • ✓Wafer-Level Packaging 晶圓級封裝
  • ✓2.5D/3D IC 先進封裝
  • ✓特定金屬表面活化與接合前處理

技術釐清:值得注意的是,甲酸回焊與 Cu-Cu Hybrid Bonding(銅對銅混合鍵合)並非相同技術,後者通常涉及更嚴格的表面平坦度、潔淨度及不同的接合機制。

六、高純度甲酸:先進封裝不可忽視的化學材料

甲酸回焊技術的發展,也讓高純度化學材料在先進封裝製程中的重要性逐漸提高。

除了設備溫度、氧氣含量與反應條件,材料的純度、雜質控制及批次一致性,也會影響製程驗證結果。

景明化工 ECHOCHEMICAL 專業提供 Thermo Scientific Chemicals(Thermo Fisher Scientific)品牌甲酸(Formic Acid)。

景明化工持續深耕化學試劑與精密化學材料供應,針對半導體封裝、電子材料研發及金屬表面處理等應用,協助客戶進行產品選型、規格確認與技術資料評估。

我們重視的不僅是化學品供應,更希望透過材料專業,協助客戶理解製程需求與化學材料之間的關聯。

■ 推薦原廠高品質化學材料
甲酸 Formic Acid, 99+%
品牌:Thermo Scientific Chemicals|半導體封裝研發、精密有機酸表面還原應用

製程導入叮嚀:實際應用於半導體量產時,仍須確認甲酸的金屬雜質、水分及其他品質規格,並完成設備與製程相容性驗證。

七、未來展望:從甲酸回焊走向更精密的無助焊劑接合

隨著晶片互連節距持續縮小,半導體產業也積極研究氫氣回焊、活化氫及其他低殘留表面還原技術。未來製程發展將更加重視:

  • ✓低溫接合能力
  • ✓高密度微凸塊的形貌控制
  • ✓金屬氧化層的精準去除
  • ✓微量污染物管理
  • ✓材料與設備製程整合

從傳統助焊劑,到甲酸氣氛,再到新型無助焊劑技術,這不只是設備的升級,更是化學、材料科學與半導體製造工程的整合。

一個只有數十微米的銅柱凸塊,背後卻需要精密的化學反應與製程控制。這也是為什麼高純度化學材料,在先進封裝產業中扮演不可或缺的角色。

■ 技術參考文獻
  1. 劉冰,《無助焊劑甲酸回流技術在銅柱凸點回流焊中的應用》
  2. Thermo Fisher Scientific — Thermo Scientific Chemicals,Formic Acid 產品技術資訊。
景明化工 ECHO Chemical
化學試劑|高純度化學材料|半導體製程應用|實驗設備與工程

專業提供 Thermo Scientific Chemicals 品牌甲酸,歡迎洽詢相關產品規格與供應服務。

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