剝離液 Stripper — 半導體光阻剝除專用配方
專注先進製程 Photoresist Removal
| 品牌： | 景明化工 |
| 品名： | 剝離液 Stripper — 半導體光阻剝除專用配方｜景明化工 |
| 規格： | 1L / 5L / 20L / IBC（可客製） |
剝離液 Stripper — 半導體光阻剝除專用配方｜景明化工
專注先進製程 Photoresist Removal
景明剝離液針對半導體製程中 Photoresist / Hard Resist / Carbonized residue 所設計，能在確保基材完整前提下，快速分解光阻並降低二次污染。
面向邏輯 / Memory / Foundry / CIS 等領域的先進節點製程。
適用製程 Application
- Photoresist Stripping
- Hard-baked Resist Removal
- Implant Photoresist Removal
- Etching / Lithography / CMP後清潔
- 先進節點製程 Dry + Wet Clean整合
景明剝離液優勢 Features
| Feature | 說明 |
| 高效率光阻剝除 | 針對 Hard Resist / Carbon 殘留具破除能力 |
| 保基材不侵蝕 | Metal / Si / GaAs / SiC / 陶瓷相容性佳 |
| 低腐蝕風險 | 避免微結構/薄膜/線寬損傷 |
| 二次殘留低 | 提升後續製程 Clean 底線 |
| 多元複配設計 | 極性溶劑＋胺類＋高沸點系統配方 |
配方選擇 Options
- NMP / NEP-Free配方可提供
- 醇/酮/胺複合系統
- 低泡沫低殘留
- 高純度等級（分析與電子級）
包裝規格
1L / 5L / 20L / IBC（可客製）
技術資料 / Sample 評估
可提供 TDS / SDS / Sample Test
景明化工 歡迎洽詢
光阻乾淨與否，就是後段良率差距。
